日韩激情专区一区二区三区_亚洲永久精品视频一二三区视频_亚洲va在线va天堂xxxx中文_96久久精品无码一区二区天美

 2025 PCIM Asia Shanghai ——上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)暨研討會(huì)將于2025年9月24至26日在上海新國(guó)際博覽中心舉辦。本屆展會(huì)聚焦電氣化交通、太陽(yáng)能與風(fēng)能、儲(chǔ)能、氫能、人工智能和數(shù)據(jù)中心的電力電子應(yīng)用等應(yīng)用領(lǐng)域。

行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)珠海鎵未來科技有限公司將攜 Bi-Directional GaN、(全球內(nèi)阻最低)車規(guī)級(jí) 9mΩ 650V 氮化鎵分立器件、Gen3 系列等多款新品亮相本次展會(huì)。

1、展會(huì)詳情

展會(huì)時(shí)間：2025年9月24-26日

展會(huì)地址：中國(guó)·上海新國(guó)際博覽中心

展位：N5E26

2、新品速遞

1：Bi-Directional GaN

G2B65 系列場(chǎng)效應(yīng)晶體管是混合型常閉雙向氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用頂部冷卻表貼型封裝，具有電隔離的散熱金屬表面，便于熱管理和自動(dòng)裝配工藝。

（圖片來源：鎵未來公眾號(hào)）

2：車規(guī)級(jí) 9mΩ 650V 氮化鎵分立器件

G3E65R009 系列場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一款完全符合汽車 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的 650V、9mΩ GaN FET，采用 GaNext Gen3 技術(shù)平臺(tái)，兼容 Si MOSFET 驅(qū)動(dòng)，是全球 Rdson 最小的 650V氮化鎵分立器件。其采用 TO-247PLUS-4L 和 ITO-247PLUS-3L（內(nèi)絕緣）封裝，散熱能力優(yōu)異且與同封裝的 Si/SiC MOSFET Pin to Pin 兼容，能夠滿足更多大功率應(yīng)用需求。

:

（圖片來源：鎵未來公眾號(hào)）

3：Gen3 技術(shù)平臺(tái)系列產(chǎn)品

Gen3 650/700V 系列場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）是混合型常關(guān)式氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有市場(chǎng)上所有寬禁帶器件中最強(qiáng)的柵極和最低的反向電壓降。它們可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)，提供業(yè)界最佳的性能和卓越的可靠性。

Gen3技術(shù)平臺(tái)概況：

（圖片來源：鎵未來公眾號(hào)）

Gen3 性能優(yōu)勢(shì)（相較 Gen2）：

芯片面積相對(duì)優(yōu)化33%：通過工藝優(yōu)化和結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，Gen3 技術(shù)平臺(tái) DPW 相對(duì)提升33%，F(xiàn)OM 相對(duì)優(yōu)化15%，實(shí)現(xiàn)更小尺寸與更強(qiáng)性能的完美結(jié)合。

器件損耗降低5%**：在約2500W的輸出功率（P-out）下，效率高達(dá)99.3%，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)性能躍升。

熱性能優(yōu)化：在最大輸出功率約7700W的嚴(yán)苛條件下，相同 RDS-ON 器件實(shí)測(cè)溫升降低8.6℃，相對(duì)降幅高達(dá)66%。顯著提升系統(tǒng)在持續(xù)高功率運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性和壽命。

ESD 能力強(qiáng)化：較上一代相對(duì)提升50%，全面實(shí)現(xiàn)≥ 2000V（HBM&CDM）。（**是指在測(cè)試電路 Boost 半橋升壓電路 240Vin-400Vo 中得到）

（圖片來源：鎵未來公眾號(hào)）

鎵未來率先推出功率 GaN 行業(yè)第一款 TO-3PF 封裝器件 G3N70R070TE-H，支持圖騰柱無橋 PFC 拓?fù)?/ 傳統(tǒng)有橋 PFC 拓?fù)淅涿缴幔蓱?yīng)用于3000W功率等級(jí)的家電空調(diào)設(shè)計(jì)。

G3E65R035QD-H 產(chǎn)品采用頂部散熱的表貼型 QDPAK 封裝，散熱能力優(yōu)于同類型的 TOLT 封裝，具有開爾文源極引腳且與同封裝的 Si/SiC MOSFET Pin to Pin 兼容，實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)性能、靈活的 PCB 布局以及高功率密度集成；

G3E65R009 系列是功率 GaN（650V 耐壓）行業(yè)首款內(nèi)阻小于10mΩ的分立式器件 ，采用 TO-247PLUS-4L 和 ITO-247PLUS-3L（內(nèi)絕緣）封裝，散熱能力優(yōu)異且與同封裝的 Si/SiC MOSFET Pin to Pin 兼容。可支持高達(dá)100kW功率等級(jí)的新能源汽車電驅(qū)應(yīng)用需求。

鎵未來 Gen3 650/700V 系列氮化鎵功率產(chǎn)品在本次 PCIM 展會(huì)宣布全面推向市場(chǎng)。新一代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了芯片性能、能效表現(xiàn)及系統(tǒng)可靠性的多維跨越，以“更小、更高效、更可靠”的全面進(jìn)化，再度引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新，為電源工程師帶來更具競(jìng)爭(zhēng)力的高性能解決方案。在立志“打造和普及一流的氮化鎵產(chǎn)品”道路上更進(jìn)一步！

關(guān)于鎵未來

珠海鎵未來科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵(GaN-on-Si)器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)全功率范圍氮化鎵器件的量產(chǎn)。其開發(fā)的產(chǎn)品具有使用簡(jiǎn)單(兼容 Si MOSFET 驅(qū)動(dòng))、可靠性高、性能參數(shù)領(lǐng)先等優(yōu)點(diǎn)，包含 PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252-3L/4L等貼片類以及TO-220(F)、TO-247-3L/4L等插件類在內(nèi)的全系列封裝外型，是高效、節(jié)能、環(huán)保的新一代功率器件。豐富的應(yīng)用方案包括 PD 快充適配器、PC 電源、電動(dòng)工具充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、超薄 TV 電源、新國(guó)標(biāo) EBIKE 電源、LED 驅(qū)動(dòng)電源、儲(chǔ)能雙向逆變器、電池化成電源、ICT服務(wù)器電源、算力電源、車載雙向 DC-DC 等。

自2020年成立以來，鎵未來申請(qǐng)和已獲專利近60項(xiàng)，并獲得多項(xiàng)榮譽(yù)與資質(zhì)，包括：2022年度本土創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)一等獎(jiǎng)、國(guó)家級(jí)“高新技術(shù)企業(yè)”、廣東省“創(chuàng)新型中小企業(yè)”、廣東省“專精特新”中小企業(yè)、“氮化鎵器件900V系列產(chǎn)品”與“650V/035mΩ大功率產(chǎn)品”被評(píng)為省名優(yōu)高新產(chǎn)品、澳門BEYOND Award消費(fèi)科技創(chuàng)新大獎(jiǎng)、2023年度創(chuàng)客廣東半導(dǎo)體與集成電路專題賽企業(yè)組一等獎(jiǎng)、2022~2023連續(xù)兩年獲得中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)最佳產(chǎn)品和最佳解決方案獎(jiǎng)、2023~2025連續(xù)三年獲得最佳功率器件/寬禁帶器件獎(jiǎng)。

鎵未來總部位于橫琴粵澳深合區(qū)，致力于新一代功率氮化鎵芯片的設(shè)計(jì)與開發(fā)；深圳子公司則聚焦在產(chǎn)品的應(yīng)用和市場(chǎng)拓展，在上海的分公司和杭州的華東應(yīng)用中心，可以為客戶提供全方位的售前售后支持。鎵未來以“打造和普及一流的氮化鎵產(chǎn)品”為使命，立志為業(yè)界提供“最好用最可靠”的氮化鎵產(chǎn)品。